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Transistor MOS de efecto de campo de alta corriente, resistencia interna inferior, QN3109M6, QN3109, 154A, 30V, DFN5x6, 10 piezas, 100% Original

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Transistor MOS de efecto de campo de alta corriente, resistencia interna inferior, QN3109M6, QN3109, 154A, 30V, DFN5x6, 10 piezas, 100% Original

Description
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